品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 83W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D-PAK（TO-252）

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 83W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D-PAK（TO-252）

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 83W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D-PAK（TO-252）

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 83W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D-PAK（TO-252）

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 360mOhm @ 5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 83W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 1mA

Supplier Device Package： D-PAK (TO-252)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 730 pF @ 400 V

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 360mOhm @ 5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 83W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 1mA

Supplier Device Package： D-PAK (TO-252)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 730 pF @ 400 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： DPAK-3

系列： SuperFET3

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 650 V

Id-连续漏极电流： 10 A

Rds On-漏源导通电阻： 360 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V

Qg-栅极电荷： 18 nC

Pd-功率耗散： 83 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 10 ns

正向跨导 - 最小值： 6 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 11 ns

典型关闭延迟时间： 34 ns

典型接通延迟时间： 12 ns

单位重量： 330 mg

温度： - 55 C~+ 150 C