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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86340 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 下载数据手册未分类	+1：￥16.838923 +10：￥15.21076 +30：￥14.314724 +100：￥13.309415 +500：￥12.861397	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3885 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMC86340 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥12.36494 +6000：￥12.160619 +9000：￥12.058401 +12000：￥11.751746	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3885 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMC86340 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥12.36494 +6000：￥12.160619 +9000：￥12.058401 +12000：￥11.751746	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3885 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86340 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.081274	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3885 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC86340 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥12.430142	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3885 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC86340 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.000342 +10：￥26.527834 +100：￥18.243623 +500：￥14.693117 +1000：￥13.550002	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Power33
FDMC86340 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.000342 +10：￥26.527834 +100：￥18.243623 +500：￥14.693117 +1000：￥13.550002	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Power33

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86340 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 下载数据手册未分类	+1：￥29.351721 +10：￥23.879366 +100：￥19.899473 +500：￥15.919578 +1000：￥14.675862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86340 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥13.484214 +6000：￥13.411468	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86340 onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 48A, 80V, PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥16.010194 +10：￥14.475312 +100：￥12.927951 +500：￥9.820751 +3000：￥9.808273	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMC86340参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Ta），48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.5 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	53 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3885 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），54W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Power33
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）