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FDD6N25TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDD6N25TM
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+1:

¥4.556672

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¥3.780835

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¥3.387454

+100:

¥2.994072

+500:

¥2.546054

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.1 欧姆 2.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 250 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDD6N25TM_未分类
FDD6N25TM
授权代理品牌

MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

未分类

+25:

¥5.990361

+100:

¥4.590919

+500:

¥3.633455

+1000:

¥2.921556

+2500:

¥2.639119

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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FDD6N25TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.1 欧姆 2.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 250 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDD6N25TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.1 欧姆 2.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 250 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDD6N25TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: UniFET™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

FDD6N25TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥10.403072

库存: 0

货期:7~10 天

系列: UniFET™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

FDD6N25TM_未分类
FDD6N25TM
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

未分类

+1086:

¥4.283618

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 50W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-252AA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

Mouser
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FDD6N25TM_未分类
FDD6N25TM
授权代理品牌

MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: DPAK-3

系列: FDD6N25

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 250 V

Id-连续漏极电流: 4.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 6 nC

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 12 ns

正向跨导 - 最小值: 5.5 S

高度: 2.39 mm

长度: 6.73 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 25 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 7 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

宽度: 6.22 mm

单位重量: 330 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FDD6N25TM_未分类
FDD6N25TM
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+1:

¥7.801235

+10:

¥7.020982

+25:

¥6.458684

+100:

¥4.929133

+250:

¥4.498381

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDD6N25TM参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: UniFET™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.1 欧姆 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 250 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 50W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)