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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8350L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥24.050921 +10：￥21.002213 +30：￥19.199213 +100：￥17.363432 +500：￥16.522032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Ta），200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.85 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 242 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17500 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8350L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥15.646103	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Ta），200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.85 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 242 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17500 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS8350L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥27.036414	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Ta），200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.85 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 242 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17500 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS8350L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.840954 +10：￥48.382936 +100：￥39.640249 +500：￥33.74485 +1000：￥28.459442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56
FDMS8350L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.840954 +10：￥48.382936 +100：￥39.640249 +500：￥33.74485 +1000：￥28.459442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8350L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN 下载数据手册晶体管	+1：￥70.209611 +10：￥59.284546 +25：￥55.749966 +100：￥47.71683 +250：￥45.628214	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： Power-56-8 系列： FDMS8350L 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 40 V Id-连续漏极电流： 200 A Rds On-漏源导通电阻： 1.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.5 V Qg-栅极电荷： 173 nC Pd-功率耗散： 113 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench Power Clip 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 18 ns 正向跨导 - 最小值： 260 S 高度： 0.8 mm 长度： 3.3 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 22 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 83 ns 典型接通延迟时间： 29 ns 宽度： 3.3 mm 单位重量： 56.500 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8350L 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 47A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥37.311673	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS8350L参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	47A（Ta），200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.85 毫欧 47A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	242 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	17500 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.7W（Ta），113W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）