品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 120 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.5A（Ta），114A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 67A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 370A

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6460 pF 60 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），106W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 120 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.5A（Ta），114A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 67A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 370A

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6460 pF 60 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），106W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 120 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.5A（Ta），114A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 67A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 370A

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6460 pF 60 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），106W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： PQFN-8

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 120 V

Id-连续漏极电流： 114 A

Rds On-漏源导通电阻： 4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 82 nC

Pd-功率耗散： 106 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 12 ns

正向跨导 - 最小值： 144 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 8 ns

典型关闭延迟时间： 45 ns

典型接通延迟时间： 25 ns

单位重量： 122.136 mg

温度： - 55 C~+ 150 C