搜索 FQD10N20CTM 共 20 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FQD10N20CTM 授权代理品牌 | +10: ¥8.678304 +100: ¥7.069248 +200: ¥5.669856 +500: ¥5.06232 +800: ¥4.699008 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FQD10N20CTM 授权代理品牌 | +50: ¥5.35471 +500: ¥5.088164 +1000: ¥4.957645 +3000: ¥4.828747 | ||||
FQD10N20CTM 授权代理品牌 | +5: ¥2.755726 +50: ¥2.686964 +250: ¥2.6182 +500: ¥2.571317 +1000: ¥2.502554 | 暂无参数 | |||
FQD10N20CTM 授权代理品牌 | +50: ¥1.493074 +2500: ¥1.465954 +7500: ¥1.425222 +17500: ¥1.384489 | 暂无参数 | |||
FQD10N20CTM 授权代理品牌 | +10: ¥2.714738 +2500: ¥2.601615 +5000: ¥2.488493 +7500: ¥2.307517 | 暂无参数 | |||
FQD10N20CTM 授权代理品牌 | +100: ¥5.68938 +500: ¥5.451603 +1000: ¥5.311762 +3000: ¥5.173658 | ||||
FQD10N20CTM | +500: ¥1.416933 +1000: ¥1.367965 +1500: ¥1.319693 | 暂无参数 | |||
FQD10N20CTM | +10: ¥2.169852 +500: ¥2.003039 +2000: ¥1.836109 +6000: ¥1.66918 | 暂无参数 |
FQD10N20CTM参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | QFET® |
零件状态: | 最后售卖 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 360 毫欧 3.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 26 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 510 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 50W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-252AA |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |