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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.409308 +10：￥2.753672 +30：￥2.458636 +100：￥2.108963 +500：￥1.945054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 3.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 632 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDT3612 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥1.72028 +50：￥1.376945 +150：￥1.229864 +500：￥1.046286 +2500：￥0.96455	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.864917	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 3.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 632 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDT3612 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDT3612 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.657926 +50：￥1.629258 +500：￥1.572132 +5000：￥1.529235 +30000：￥1.429211	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDT3612 授权代理品牌	FDT3612 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.202773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDT3612 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDT3612 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+150：￥1.340877 +750：￥1.237733 +2500：￥1.217127 +7500：￥1.134588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDT3612 UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FDT3612 UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+2500：￥0.424732 +5000：￥0.416051 +7500：￥0.403549	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.482731 +8000：￥1.432138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 3.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 632 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.934198 +8000：￥3.64383 +12000：￥3.503388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 3.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 632 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDT3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.369539 +10：￥10.20419 +100：￥6.691623 +500：￥5.177671 +1000：￥4.689951	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4

FDT3612参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	120 毫欧 3.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	632 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）