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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FQD2N60CTM_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQD2N60CTM
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥3.47875

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￥3.17625

+30：

￥3.11575

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 欧姆 950mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 235 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），44W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FQD2N60CTM_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQD2N60CTM
ON(安森美)
授权代理品牌
+1250：

￥4.264992

+3750：

￥3.046464

+7500：

￥3.046464

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 欧姆 950mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 235 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），44W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FQD2N60CTM_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQD2N60CTM
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥3.052346

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 欧姆 950mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 235 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），44W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FQD2N60CTM_未分类
FQD2N60CTM
VBsemi(台湾微碧)
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FQD2N60CTM VBSEMI/台湾微碧半导体

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未分类
+5：

￥2.330183

+200：

￥2.236879

+500：

￥2.180966

+2500：

￥2.143691

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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FQD2N60CTM_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQD2N60CTM
ON(安森美)
授权代理品牌
+2500：

￥4.543887

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 欧姆 950mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 235 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），44W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FQD2N60CTM_未分类
FQD2N60CTM
JSMSEMI(杰盛微)
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FQD2N60CTM JSMICRO/深圳杰盛微

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未分类
+2500：

￥1.286237

+7500：

￥1.263896

+12500：

￥1.230439

+22500：

￥1.17441

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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FQD2N60CTM_未分类
FQD2N60CTM
VBsemi(台湾微碧)
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FQD2N60CTM VBSEMI/台湾微碧半导体

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未分类
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￥2.207475

+2500：

￥2.030937

+7500：

￥1.94261

+12500：

￥1.854284

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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FQD2N60CTM_未分类
FQD2N60CTM
UDU SEMICONDUTOR
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FQD2N60CTM UDU SEMICONDUTOR

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未分类
+500：

￥1.051819

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￥1.011764

+1500：

￥0.972405

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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FQD2N60CTM_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQD2N60CTM
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥5.538541

+50：

￥4.62587

+1250：

￥4.263301

+2500：

￥3.950743

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 欧姆 950mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 235 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），44W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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库存： 1000 +

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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 欧姆 950mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 235 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），44W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FQD2N60CTM参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.7 欧姆 950mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 235 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度: -55°C # 150°C（TJ）