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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDZ193P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.901357 +10：￥4.784658 +30：￥4.699786 +100：￥4.625523	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WLCSP（1x1.5）封装/外壳： 6-UFBGA，WLCSP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDZ193P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WLCSP（1x1.5）封装/外壳： 6-UFBGA，WLCSP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDZ193P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WLCSP（1x1.5）封装/外壳： 6-UFBGA，WLCSP 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDZ193P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UFBGA, WLCSP 供应商器件封装： 6-WLCSP (1.0x1.5)
FDZ193P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UFBGA, WLCSP 供应商器件封装： 6-WLCSP (1.0x1.5)
FDZ193P ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP 下载数据手册未分类	+1276：￥2.887006	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 90mOhm @ 1A, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： 6-WLCSP (1x1.5) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.7V, 4.5V Vgs (Max)： ±12V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 660 pF @ 10 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDZ193P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WLCSP（1x1.5）封装/外壳： 6-UFBGA，WLCSP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDZ193P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	90 毫欧 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	660 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.9W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-WLCSP（1x1.5）
封装/外壳:	6-UFBGA，WLCSP
温度:	-55°C # 150°C（TJ）