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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.009999 +10：￥4.917272 +30：￥4.381835	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3970 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP 下载数据手册未分类	+3000：￥5.47864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3970 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6679AZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMC6679AZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥3.430105 +100：￥3.37298 +1000：￥3.287185 +3000：￥3.087137 +10000：￥3.029906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP 下载数据手册未分类	+11：￥12.328851 +100：￥9.646606 +500：￥7.950653 +1000：￥6.362845 +3000：￥5.857745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerWDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 11.5A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 10mOhm @ 11.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-MLP (3.3x3.3) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3970 pF @ 15 V
FDMC6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3970 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.074043 +6000：￥3.880065 +9000：￥3.700942	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3970 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.039932 +6000：￥6.70474 +9000：￥6.395215	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3970 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.071184 +10：￥13.931084 +100：￥10.830857 +500：￥9.180311 +1000：￥7.4783	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)
FDMC6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.071184 +10：￥13.931084 +100：￥10.830857 +500：￥9.180311 +1000：￥7.4783	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)
FDMC6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥11.319155	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerWDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 11.5A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 10mOhm @ 11.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-MLP (3.3x3.3) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3970 pF @ 15 V

FDMC6679AZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11.5A（Ta），20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 11.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	91 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3970 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），41W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）