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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB088N08 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥24.038352 +100：￥17.988048 +200：￥13.895568 +300：￥12.0672 +400：￥10.996272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB088N08 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB088N08 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥12.415723 +1600：￥10.287283 +2400：￥9.577848 +5600：￥9.223062	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDB088N08 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥21.454328 +1600：￥17.77639 +2400：￥16.550489 +5600：￥15.93742	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDB088N08 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.223022 +10：￥32.482344 +100：￥26.112538	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK
FDB088N08 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.223022 +10：￥32.482344 +100：￥26.112538	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB088N08 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥41.496693 +10：￥37.415052 +25：￥36.190558 +100：￥30.068097 +500：￥24.761962	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 800

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB088N08 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥14.416714	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDB088N08参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.8 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	118 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6595 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	160W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）