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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP6N40C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥3.928088 +10：￥3.287411 +30：￥2.972324 +100：￥2.657236 +500：￥2.468184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP6N40C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP6N40C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.180441 +1000：￥3.96606 +2700：￥3.858869 +4150：￥3.751677 +5900：￥3.608757	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP6N40C ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 下载数据手册未分类	+678：￥4.309379 +3387：￥4.224468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP6N40C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 下载数据手册未分类	+11：￥12.655752 +100：￥9.881559 +500：￥8.322577 +1000：￥6.555008 +2000：￥5.990361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP6N40C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP6N40C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.860992 +10：￥7.928561 +100：￥6.180688 +500：￥5.105553 +1000：￥4.274995	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP6N40C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.676335 +10：￥19.395361 +100：￥15.119599 +500：￥12.489536 +1000：￥10.457771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 625 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP6N40C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥21.726791 +10：￥19.454708 +100：￥15.194553 +500：￥12.780466 +1000：￥10.068167	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 1000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP6N40C 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥8.062748 +2000：￥7.617276 +2500：￥7.540175 +3000：￥7.464502 +4000：￥7.390256	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQP6N40C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 欧姆 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	625 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	73W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）