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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDS8447_未分类
FDS8447
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：6W

未分类
+1：

￥1.943487

+10：

￥1.793988

+30：

￥1.764088

+100：

￥1.674389

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
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FDS8447_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS8447
ON(安森美)
授权代理品牌
+10：

￥16.398525

+200：

￥11.08965

+800：

￥8.140275

+2500：

￥5.89875

+5000：

￥5.603873

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5 毫欧 12.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 20 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDS8447_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS8447
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥11.637543

+10：

￥9.091489

+30：

￥7.496107

+100：

￥5.867944

+500：

￥5.135817

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5 毫欧 12.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 20 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDS8447_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS8447
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥17.43126

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5 毫欧 12.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 20 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDS8447_未分类
FDS8447
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC

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未分类
+10：

￥13.587075

+100：

￥10.525195

+500：

￥8.726344

+1000：

￥6.975311

+2500：

￥6.063764

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
FDS8447_未分类
FDS8447
授权代理品牌

FDS8447 VBSEMI/微碧半导体

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未分类
+10：

￥1.795477

+100：

￥1.750677

+1000：

￥1.645912

+4000：

￥1.571129

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
FDS8447_未分类
FDS8447
授权代理品牌

FDS8447 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体

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未分类
+500：

￥1.054365

+1000：

￥0.99822

+1500：

￥0.94358

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
FDS8447_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS8447
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥8.496041

+100：

￥7.074941

+1250：

￥6.433154

+2500：

￥5.959454

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5 毫欧 12.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 20 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS8447_未分类
FDS8447
JSMSEMI(杰盛微)
授权代理品牌

FDS8447 JSMICRO/深圳杰盛微

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未分类
+50：

￥1.765957

+3000：

￥1.624611

+9000：

￥1.596481

+15000：

￥1.554111

+18000：

￥1.455135

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDS8447_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS8447
ON(安森美)
授权代理品牌
+2500：

￥3.567773

+5000：

￥3.410738

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5 毫欧 12.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 20 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS8447参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10.5 毫欧 12.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 49 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2600 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度: -55°C # 150°C（TJ）