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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF11P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.936368 +10：￥4.138147 +30：￥3.749539 +100：￥3.350428 +500：￥3.108861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FQPF11P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.544751	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQPF11P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F 下载数据手册未分类	+1000：￥5.416329 +2000：￥5.283155 +3000：￥5.194335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQPF11P06 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F 下载数据手册未分类	+695：￥4.163356 +3473：￥4.081127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQPF11P06 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQPF11P06 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.465388 +500：￥2.422492 +2500：￥2.358198 +7400：￥2.3153 +14750：￥2.143815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQPF11P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F 下载数据手册未分类	+11：￥12.889028 +100：￥10.286667 +500：￥8.764553 +1000：￥6.923249 +2000：￥6.321732	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQPF11P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.931671 +20：￥5.73719 +30：￥5.542709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQPF11P06 授权代理品牌	FQPF11P06 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.825531 +30：￥2.731301 +100：￥2.61357 +1000：￥2.542955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	FQPF11P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF11P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

FQPF11P06参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	175 毫欧 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	550 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	30W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQPF11P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F 下载数据手册未分类	+1000：￥5.416329 +2000：￥5.283155 +3000：￥5.194335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQPF11P06 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F 下载数据手册未分类	+695：￥4.163356 +3473：￥4.081127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQPF11P06 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQPF11P06 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.465388 +500：￥2.422492 +2500：￥2.358198 +7400：￥2.3153 +14750：￥2.143815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQPF11P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F 下载数据手册未分类	+11：￥12.889028 +100：￥10.286667 +500：￥8.764553 +1000：￥6.923249 +2000：￥6.321732	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQPF11P06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.931671 +20：￥5.73719 +30：￥5.542709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQPF11P06 授权代理品牌	FQPF11P06 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.825531 +30：￥2.731301 +100：￥2.61357 +1000：￥2.542955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数