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自营现货库存

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	FDPF5N60NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F 下载数据手册	+1：￥7.408689 +10：￥6.206689 +50：￥5.551053	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDPF5N60NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F 下载数据手册未分类	+50：￥14.658385 +100：￥14.218197 +200：￥13.792533	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDPF5N60NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDPF5N60NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDPF5N60NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	FDPF5N60NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 2.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	FDPF5N60NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-220-3 系列： FDPF5N60NZ 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 600 V Id-连续漏极电流： 4.5 A Rds On-漏源导通电阻： 1.65 Ohms Vgs - 栅极-源极电压： - 25 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压： 5 V Qg-栅极电荷： 10 nC Pd-功率耗散： 33 W 通道模式： Enhancement 商标名： UniFET 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 正向跨导 - 最小值： 5 S 高度： 16.07 mm 长度： 10.36 mm 产品类型： MOSFET 晶体管类型： 1 N-Channel 宽度： 4.9 mm 单位重量： 2 g 温度： - 55 C~+ 150 C

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	FDPF5N60NZ onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥41.070294 +10：￥14.926225 +25：￥13.257454 +100：￥10.939717 +250：￥7.667074	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	FDPF5N60NZ onsemi(安森美) 授权代理品牌	onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=600 V, 4.5 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+50：￥10.68504 +100：￥10.363685 +200：￥10.053807	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	FDPF5N60NZ onsemi(安森美) 授权代理品牌	onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=600 V, 4.5 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+5：￥11.885531 +15：￥11.527448 +25：￥11.180846	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDPF5N60NZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UniFET-II™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 2.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	33W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）