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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS3512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.183291 +10：￥7.875648 +100：￥6.952721 +500：￥6.768135	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 634 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	FDS3512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥9.462071 +10：￥8.110347 +30：￥7.268119 +100：￥6.394696	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 634 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS3512 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册未分类	+324：￥9.15927 +1619：￥8.979174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 634 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDS3512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥3.122868	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 634 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDS3512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册未分类	+10：￥3.341991 +50：￥3.287185 +100：￥3.232377 +500：￥3.122868	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 634 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS3512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥9.221051 +5000：￥8.879489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 634 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS3512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥15.933947 +5000：￥15.343728	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 634 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDS3512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.761613 +10：￥31.273297 +100：￥25.140182 +500：￥20.655205 +1000：￥17.114261	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
FDS3512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.761613 +10：￥31.273297 +100：￥25.140182 +500：￥20.655205 +1000：￥17.114261	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
FDS3512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥34.761613 +10：￥31.273297 +100：￥25.140182 +500：￥20.655205 +1000：￥17.114261	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 70mOhm @ 4A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SOIC Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 634 pF @ 40 V

FDS3512参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	634 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS3512 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册未分类	+324：￥9.15927 +1619：￥8.979174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 634 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDS3512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥3.122868	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 634 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDS3512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 下载数据手册未分类	+10：￥3.341991 +50：￥3.287185 +100：￥3.232377 +500：￥3.122868	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 634 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）