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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQI12N60TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.249779 +200：￥3.966599 +500：￥3.824545 +1000：￥3.758981	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK（TO-262）封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQI12N60TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK（TO-262）封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQI12N60TU Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+229：￥16.186388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 供应商器件封装： I2PAK (TO-262)
	FQI12N60TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK（TO-262）封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQI12N60TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK（TO-262）封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FQI12N60TU参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	700 毫欧 5.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	54 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.13W（Ta），180W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	I2PAK（TO-262）
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）