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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.783009 +15000：￥4.304696	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2045 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥6.785835 +10：￥5.769599 +30：￥5.256017 +100：￥4.753362 +500：￥4.447399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2045 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP 下载数据手册未分类	+3000：￥22.228397	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2045 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC4435BZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMC4435BZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.430105 +300：￥3.287185 +5000：￥3.144264 +10000：￥3.087137 +15000：￥2.858421	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2045 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.723688 +6000：￥2.593982 +9000：￥2.474221	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2045 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.662862 +6000：￥6.345569 +9000：￥6.052599	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2045 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.063567 +10：￥13.172125 +100：￥10.250085 +500：￥8.688402 +1000：￥7.077761	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)
FDMC4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.063567 +10：￥13.172125 +100：￥10.250085 +500：￥8.688402 +1000：￥7.077761	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)

Mouser

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	FDMC4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥15.950229 +10：￥14.271258 +100：￥11.193143 +500：￥9.248334 +1000：￥7.387475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

FDMC4435BZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.5A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	46 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2045 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），31W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）