品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 220 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta），7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 366 毫欧 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 220 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta），7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 366 毫欧 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 220 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta），7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 366 毫欧 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 220 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta），7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 366 毫欧 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 220 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta），7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 366 毫欧 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 220 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A (Ta), 7A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 366mOhm 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W (Ta), 42W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-33-8

系列： FDMC2674

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 220 V

Id-连续漏极电流： 7 A

Rds On-漏源导通电阻： 336 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 18 nC

Pd-功率耗散： 2.1 W

通道模式： Enhancement

商标名： UltraFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 21 ns

高度： 0.8 mm

长度： 3.3 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 13 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 15 ns

典型接通延迟时间： 9 ns

宽度： 3.3 mm

单位重量： 165.330 mg

温度： - 55 C~+ 150 C