品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： DPAK-3

系列： FDD5N50F

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 500 V

Id-连续漏极电流： 3.5 A

Rds On-漏源导通电阻： 1.55 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 15 nC

Pd-功率耗散： 40 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 20 ns

高度： 2.39 mm

长度： 6.73 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 22 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 28 ns

典型接通延迟时间： 13 ns

宽度： 6.22 mm

零件号别名： FDD5N50FTM_WS

单位重量： 330 mg

温度： - 55 C~+ 150 C