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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPF39N20 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 39A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.856088 +10：￥10.315343 +50：￥9.353743 +100：￥8.359362 +500：￥7.255707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 19.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2130 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPF39N20 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 39A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 19.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2130 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPF39N20 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 39A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.957474 +50：￥12.009126 +100：￥9.881282 +500：￥8.361228 +1000：￥7.094373	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 19.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2130 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPF39N20 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 39A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.846465 +50：￥20.75173 +100：￥17.074823 +500：￥14.448175 +1000：￥12.259054	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 19.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2130 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPF39N20 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 39A TO220F 下载数据手册未分类	+1：￥33.651612 +10：￥30.175857 +100：￥22.276419 +500：￥18.800666 +1000：￥15.751483	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-220-3 系列： FDPF39N20 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 200 V Id-连续漏极电流： 39 A Rds On-漏源导通电阻： 56 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V Qg-栅极电荷： 49 nC Pd-功率耗散： 37 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 150 ns 正向跨导 - 最小值： 28.5 S 高度： 16.07 mm 长度： 10.36 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 160 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 150 ns 典型接通延迟时间： 30 ns 宽度： 4.9 mm 单位重量： 2 g 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPF39N20 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥10.175153	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPF39N20 onsemi(安森美) 授权代理品牌	onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=200 V, 39 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+5：￥16.653053 +15：￥16.15725	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	FDPF39N20 onsemi(安森美) 授权代理品牌	onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=200 V, 39 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+50：￥13.822838 +100：￥13.408518 +500：￥12.066864	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDPF39N20参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UniFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	66 毫欧 19.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	49 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2130 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	37W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）