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	FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥58.047814 +10：￥49.340654 +30：￥40.633494 +90：￥33.377487 +450：￥29.023907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.1586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥32.302685	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册未分类	+10：￥64.242367 +30：￥62.534347 +120：￥53.164478 +270：￥51.095592 +6000：￥45.639939	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥82.113904 +10：￥74.228611 +100：￥61.456667 +500：￥53.514172 +1000：￥46.613157	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2250：￥32.022686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥78.025777 +500：￥74.764053 +1000：￥72.847026 +3000：￥70.952225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥26.371624 +900：￥25.932074 +1800：￥25.492524 +3600：￥25.053089	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.840284 +30：￥27.673397 +120：￥23.7444 +510：￥23.543525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDH055N15A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	158A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.9 毫欧 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	92 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9445 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	429W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥32.302685	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册未分类	+10：￥64.242367 +30：￥62.534347 +120：￥53.164478 +270：￥51.095592 +6000：￥45.639939	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥82.113904 +10：￥74.228611 +100：￥61.456667 +500：￥53.514172 +1000：￥46.613157	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2250：￥32.022686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥78.025777 +500：￥74.764053 +1000：￥72.847026 +3000：￥70.952225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDH055N15A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥26.371624 +900：￥25.932074 +1800：￥25.492524 +3600：￥25.053089	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 158A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9445 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）