品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 530 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），65W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 530 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），65W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 530 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），65W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 530mOhm @ 4A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.75W (Ta), 65W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： D²PAK (TO-263)

Part Status： Last Time Buy

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 15 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 470 pF @ 25 V

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 530mOhm 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.75W (Ta), 65W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D2PAK (TO-263)

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： TO-263-3

系列： FQB8P10

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 100 V

Id-连续漏极电流： 8 A

Rds On-漏源导通电阻： 530 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V

Qg-栅极电荷： 15 nC

Pd-功率耗散： 3.75 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 35 ns

正向跨导 - 最小值： 4.3 S

高度： 4.83 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 110 ns

晶体管类型： 1 P-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 20 ns

典型接通延迟时间： 11 ns

宽度： 9.65 mm

单位重量： 4 g

温度： - 55 C~+ 175 C