FDMC86259P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86259P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 13A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥73.18944 +100：￥52.254864 +200：￥39.957552 +500：￥33.930432 +800：￥30.517632	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2045 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86259P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 13A POWER33 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2045 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86259P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 13A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥13.042706	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2045 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC86259P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 13A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥22.537752	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2045 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），62W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC86259P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 13A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.562302 +10：￥33.71958 +100：￥27.624355 +500：￥23.516474 +1000：￥22.537627	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Power33
FDMC86259P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 13A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Power33

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86259P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 13A POWER33 下载数据手册未分类	+1：￥41.360639 +10：￥37.142942 +100：￥30.47626 +500：￥25.986454 +1000：￥21.904812	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86259P 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 150V 3.2A 8-Pin Power QFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥18.141045	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMC86259P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.2A（Ta），13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	107 毫欧 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	32 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2045 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），62W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Power33
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）