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	FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥85.293989 +10：￥56.862619 +30：￥47.385536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），198A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 155 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8030 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥84.422391 +10：￥74.591667 +30：￥68.594505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），198A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 155 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8030 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+17：￥51.555749 +100：￥42.684433 +500：￥37.170906 +1000：￥32.375958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），198A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 155 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8030 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥69.627975 +10：￥62.936326 +100：￥52.102783 +500：￥45.37383 +1000：￥39.515615	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），198A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 155 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8030 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥58.558219 +10：￥52.937075 +100：￥43.828074 +500：￥38.166807 +1000：￥33.243383	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），198A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 155 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8030 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.745703 +10：￥60.977288 +100：￥50.441927 +500：￥43.418352 +1000：￥38.694575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），198A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 155 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8030 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥20.060321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），198A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 155 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8030 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥49.07286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），198A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 155 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8030 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.250559 +10：￥79.139657 +100：￥65.947675 +500：￥58.189143 +1000：￥52.370169	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56
FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.250559 +10：￥79.139657 +100：￥65.947675 +500：￥58.189143 +1000：￥52.370169	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56

FDMS86350ET80参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A（Ta），198A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.4 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	155 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8030 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.3W（Ta），187W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+17：￥51.555749 +100：￥42.684433 +500：￥37.170906 +1000：￥32.375958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），198A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 155 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8030 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥69.627975 +10：￥62.936326 +100：￥52.102783 +500：￥45.37383 +1000：￥39.515615	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），198A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 155 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8030 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥58.558219 +10：￥52.937075 +100：￥43.828074 +500：￥38.166807 +1000：￥33.243383	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），198A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 155 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8030 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS86350ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.745703 +10：￥60.977288 +100：￥50.441927 +500：￥43.418352 +1000：￥38.694575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），198A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 155 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8030 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），187W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）