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FDMS86350ET80_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDMS86350ET80
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥85.293989

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¥56.862619

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¥47.385536

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Ta),198A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 155 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8030 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),187W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDMS86350ET80_未分类
FDMS86350ET80
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MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56

未分类

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¥84.422391

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¥74.591667

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¥68.594505

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Ta),198A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 155 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8030 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),187W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDMS86350ET80_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDMS86350ET80
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MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥51.555749

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

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系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Ta),198A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 155 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8030 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),187W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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¥39.515615

库存: 1000 +

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品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Ta),198A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 155 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

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FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),187W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

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¥43.828074

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¥33.243383

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Ta),198A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 155 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8030 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),187W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

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¥68.745703

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¥50.441927

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¥43.418352

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¥38.694575

库存: 1000 +

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封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Ta),198A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 155 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8030 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),187W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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¥20.060321

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技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Ta),198A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 155 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8030 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),187W(Tc)

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货期:7~10 天

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Ta),198A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 155 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8030 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),187W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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¥92.250559

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¥79.139657

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¥65.947675

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¥58.189143

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¥52.370169

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货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

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¥65.947675

+500:

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货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

FDMS86350ET80参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Ta),198A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 毫欧 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 155 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8030 pF 40 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),187W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)