品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Ta), 45A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.7W (Ta), 113W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Ta), 45A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.7W (Ta), 113W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Ta), 45A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.7W (Ta), 113W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Ta), 45A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.7W (Ta), 113W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Ta), 45A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.7W (Ta), 113W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Ta), 45A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.7W (Ta), 113W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Ta), 45A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.7W (Ta), 113W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-56-8

系列： FDMS86255

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 150 V

Id-连续漏极电流： 45 A

Rds On-漏源导通电阻： 25 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V

Qg-栅极电荷： 63 nC

Pd-功率耗散： 113 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench Power Clip

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 12 ns

高度： 0.8 mm

长度： 3.3 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 10 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 45 ns

典型接通延迟时间： 34 ns

宽度： 3.3 mm

单位重量： 56.500 mg

温度： - 55 C~+ 150 C