锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FDMC2D8N025S6 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC2D8N025S_未分类
FDMC2D8N025S
授权代理品牌

MOSFET N-CH 25V 124A POWER33

未分类

+1:

¥4.442731

+200:

¥1.722477

+500:

¥1.65946

+1000:

¥1.627951

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 124A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 毫欧 28A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4615 pF 13 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 47W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Power33

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC2D8N025S_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 124A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 毫欧 28A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4615 pF 13 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 47W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Power33

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC2D8N025S_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 124A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 毫欧 28A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4615 pF 13 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 47W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Power33

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMC2D8N025S_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥18.459418

+10:

¥16.54561

+100:

¥12.899876

+500:

¥10.65597

+1000:

¥8.412608

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power33

FDMC2D8N025S_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥18.459418

+10:

¥16.54561

+100:

¥12.899876

+500:

¥10.65597

+1000:

¥8.412608

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power33

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC2D8N025S_未分类
FDMC2D8N025S
授权代理品牌

MOSFET N-CH 25V 124A POWER33

未分类

+1:

¥19.075737

+10:

¥17.112059

+100:

¥13.338989

+500:

¥11.024655

+1000:

¥8.696292

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

標準包裝數量: 3000

FDMC2D8N025S参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 124A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 毫欧 28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4615 pF 13 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 47W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Power33
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)