FQD7N20LTM厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD7N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.786359 +10：￥6.52432 +30：￥5.436893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），45W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD7N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.516251 +10：￥3.760042 +30：￥3.381937	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），45W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FQD7N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK 下载数据手册未分类	+4517：￥2.004423	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），45W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FQD7N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.072129 +100：￥3.878816 +500：￥3.198132 +1000：￥2.938824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），45W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD7N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.886006 +5000：￥1.755967 +12500：￥1.690919 +25000：￥1.632037	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），45W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD7N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.61367 +5000：￥4.29556 +12500：￥4.136434 +25000：￥3.992393	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），45W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD7N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.95583 +10：￥10.504051 +100：￥8.050259 +500：￥6.363634 +1000：￥5.091049	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
FQD7N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.95583 +10：￥10.504051 +100：￥8.050259 +500：￥6.363634 +1000：￥5.091049	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
FQD7N20LTM ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 750mOhm @ 2.75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 500 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD7N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥13.66725 +10：￥12.007656 +100：￥9.209123 +500：￥7.2892 +1000：￥5.824851	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

FQD7N20LTM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	750 毫欧 2.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），45W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）