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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC2512 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFET N-Channel TSOP6 ID=3.2A 下载数据手册未分类	+1：￥1.135631 +10：￥1.09357 +100：￥0.992625 +500：￥0.942152	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC2512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.034586 +10：￥7.679386 +30：￥6.324186 +100：￥5.646586 +500：￥5.194893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 425 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 344 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC2512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.31473 +100：￥2.104795	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 425 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 344 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDC2512 授权代理品牌	FDC2512 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.676864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC2512 授权代理品牌	FDC2512 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.592777 +50：￥1.311821 +150：￥1.124401 +500：￥1.002503 +3000：￥0.964996	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC2512 授权代理品牌	FDC2512 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.799919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC2512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥6.228949 +500：￥6.123373 +1000：￥6.070586 +3000：￥6.017798 +5000：￥6.017798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 425 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 344 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDC2512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.417685 +6000：￥5.32739 +9000：￥5.237096 +12000：￥5.146801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 425 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 344 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDC2512 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDC2512 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.609489 +3000：￥0.598839 +9000：￥0.58298 +15000：￥0.567005 +45000：￥0.54582	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC2512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.56497 +6000：￥1.456591 +9000：￥1.42038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 425 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 344 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC2512参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	425 毫欧 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	344 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDC2512 授权代理品牌	FDC2512 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.676864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC2512 授权代理品牌	FDC2512 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.592777 +50：￥1.311821 +150：￥1.124401 +500：￥1.002503 +3000：￥0.964996	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC2512 授权代理品牌	FDC2512 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.799919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC2512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥6.228949 +500：￥6.123373 +1000：￥6.070586 +3000：￥6.017798 +5000：￥6.017798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 425 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 344 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDC2512 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.417685 +6000：￥5.32739 +9000：￥5.237096 +12000：￥5.146801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 425 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 344 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDC2512 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDC2512 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.609489 +3000：￥0.598839 +9000：￥0.58298 +15000：￥0.567005 +45000：￥0.54582	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数