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	FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥71.270573 +200：￥48.197325 +500：￥35.378948 +2000：￥25.636875 +4000：￥24.355001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 188 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.415901 +10：￥27.197975 +30：￥24.345958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 188 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册未分类	+1：￥28.76286	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 188 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.392822 +10：￥28.881355 +30：￥27.123386 +100：￥26.370003 +300：￥25.867825	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 188 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥36.1179 +100：￥31.076444 +300：￥30.286364 +500：￥29.759645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 188 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.084372 +100：￥31.911091 +1000：￥30.984065 +2000：￥30.217486 +30000：￥30.074867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 188 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥15.138791	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 188 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥37.033494	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 188 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥76.147739 +10：￥63.874334 +100：￥51.675219 +500：￥45.932874 +1000：￥39.330153	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： 8-HPSOF
FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥76.147739 +10：￥63.874334 +100：￥51.675219 +500：￥45.932874 +1000：￥39.330153	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： 8-HPSOF

FDBL0150N80参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	188 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	429W（Tj）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HPSOF
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册未分类	+1：￥28.76286	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 188 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.392822 +10：￥28.881355 +30：￥27.123386 +100：￥26.370003 +300：￥25.867825	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 188 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥36.1179 +100：￥31.076444 +300：￥30.286364 +500：￥29.759645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 188 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDBL0150N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.084372 +100：￥31.911091 +1000：￥30.984065 +2000：￥30.217486 +30000：￥30.074867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 188 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）