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FDBL0110N60_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDBL0110N60
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¥94.409161

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¥62.93936

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¥52.449507

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.1 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 220 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13650 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 429W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-HPSOF

封装/外壳: 8-PowerSFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDBL0110N60_未分类
FDBL0110N60
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF

未分类

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¥30.760265

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¥27.001284

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¥24.761194

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¥22.488322

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¥20.433995

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.1 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 220 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13650 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 429W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-HPSOF

封装/外壳: 8-PowerSFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDBL0110N60_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDBL0110N60
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.1 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 220 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13650 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 429W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-HPSOF

封装/外壳: 8-PowerSFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDBL0110N60
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FDBL0110N60 ISC/无锡固电半导体

未分类

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¥39.139301

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¥26.092868

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¥25.639079

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¥17.423469

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.1 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 220 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13650 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 429W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-HPSOF

封装/外壳: 8-PowerSFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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¥42.622422

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.1 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 220 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13650 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 429W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-HPSOF

封装/外壳: 8-PowerSFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDBL0110N60_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥87.513114

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¥73.516672

+100:

¥59.473574

+500:

¥52.864991

+1000:

¥45.265628

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerSFN

供应商器件封装: 8-HPSOF

FDBL0110N60_晶体管-FET,MOSFET-单个
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+1:

¥87.513114

+10:

¥73.516672

+100:

¥59.473574

+500:

¥52.864991

+1000:

¥45.265628

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerSFN

供应商器件封装: 8-HPSOF

FDBL0110N60_未分类
FDBL0110N60
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FDBL0110N60 - N-CHANNEL POWERTRE

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 8-PowerSFN

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 429W (Tj)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-HPSOF

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V

Mouser
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FDBL0110N60_未分类
FDBL0110N60
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF

未分类

+2000:

¥48.646363

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2000

FDBL0110N60参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.1 毫欧 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 220 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13650 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 429W(Tj)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-HPSOF
封装/外壳: 8-PowerSFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)