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FCH043N60_未分类
FCH043N60
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 75A TO247

未分类

+1:

¥80.641343

+10:

¥72.323038

+30:

¥67.260636

+100:

¥63.006957

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: SuperFET® II

零件状态: Last Time Buy

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 43mOhm 38A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 215 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12225 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 592W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FCH043N60_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥70.045128

+10:

¥67.997605

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: SuperFET® II

零件状态: Last Time Buy

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 43mOhm 38A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 215 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12225 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 592W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FCH043N60_未分类
FCH043N60
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 75A TO247

未分类

+1:

¥240.550659

+10:

¥221.054134

+25:

¥211.937052

+100:

¥186.830016

+450:

¥166.071126

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 450

FCH043N60参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: SuperFET® II
零件状态: Last Time Buy
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 43mOhm 38A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 215 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12225 pF 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 592W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C (TJ)