FDP036N10A厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 FDP036N10A 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP036N10A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.826498 +10：￥36.402487 +50：￥29.978597 +100：￥26.766531 +500：￥24.625194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7295 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 333W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP036N10A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥24.673776 +10：￥23.515485 +50：￥22.81614 +100：￥22.116794 +500：￥21.788976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7295 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 333W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP036N10A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.293336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7295 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 333W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP036N10A 授权代理品牌	FDP036N10A VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥10.596436 +1000：￥10.154919 +3000：￥9.44842	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP036N10A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.911984 +50：￥26.852471 +100：￥23.015862 +500：￥20.45867 +1000：￥17.517692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7295 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 333W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP036N10A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥82.957699 +50：￥65.688259 +100：￥56.302897 +500：￥50.047328 +1000：￥42.852914	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7295 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 333W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDP036N10A ON Semiconductor 授权代理品牌	POWFIELD-EFFETRANSISTO1201000.00 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP036N10A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥91.984112 +10：￥85.163998 +25：￥73.272516 +100：￥62.605155 +250：￥61.555908	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP036N10A 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥56.31778 +10：￥52.767788 +100：￥47.172533 +500：￥42.833653 +1000：￥39.254443	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP036N10A onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 100V, 120A, 175DEG C, 333W 下载数据手册未分类	+1：￥54.026261 +10：￥43.090585 +100：￥35.465707 +500：￥29.483692 +1000：￥28.89427	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDP036N10A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.6 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	116 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7295 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	333W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）