搜索 FQP33N10 共 7 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | FQP33N10 授权代理品牌 | +1: ¥33.395879 +10: ¥22.264 +30: ¥18.553293 |
Mouser
艾睿
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | FQP33N10 | +1000: ¥9.810366 +2000: ¥9.681865 +2500: ¥9.584775 +3000: ¥9.489114 +4000: ¥9.393451 | 暂无参数 | ||
FQP33N10 | +1: ¥21.64148 +10: ¥19.441555 +100: ¥14.963867 +500: ¥14.795901 +1000: ¥14.16501 | 暂无参数 |
FQP33N10参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | QFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 33A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 52 毫欧 16.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 51 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1500 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 127W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220-3 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |