锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FQP33N107 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQP33N10_晶体管-FET,MOSFET-单个
FQP33N10
授权代理品牌
+1:

¥33.395879

+10:

¥22.264

+30:

¥18.553293

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52 毫欧 16.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 127W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQP33N10_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥15.505796

+10:

¥13.309415

+30:

¥11.943506

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52 毫欧 16.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 127W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQP33N10_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥8.939606

+10:

¥8.006534

+100:

¥6.242639

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52 毫欧 16.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 127W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQP33N10_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥21.868644

+10:

¥19.586104

+100:

¥15.271147

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52 毫欧 16.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 127W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQP33N10_晶体管
FQP33N10
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 33A TO-220

晶体管

+1:

¥25.861069

+10:

¥23.274962

+100:

¥18.102749

+500:

¥17.617853

+1000:

¥17.456221

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-220-3

系列: FQP33N10

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 33 A

Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 51 nC

Pd-功率耗散: 127 W

通道模式: Enhancement

商标名: QFET

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 110 ns

正向跨导 - 最小值: 22 S

高度: 16.3 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 195 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 80 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

宽度: 4.7 mm

单位重量: 2 g

温度: - 55 C~+ 175 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQP33N10_未分类
FQP33N10
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

未分类

+1000:

¥9.810366

+2000:

¥9.681865

+2500:

¥9.584775

+3000:

¥9.489114

+4000:

¥9.393451

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
FQP33N10_未分类
FQP33N10
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

未分类

+1:

¥21.64148

+10:

¥19.441555

+100:

¥14.963867

+500:

¥14.795901

+1000:

¥14.16501

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FQP33N10参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52 毫欧 16.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 127W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)