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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDS9400A_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS9400A
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥23.87088

+10：

￥15.91392

+30：

￥13.2616

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.5 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 205 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDS9400A_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS9400A
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥23.87088

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￥13.2616

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.5 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 205 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营 现货库存
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FDS9400A_null
FDS9400A
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌
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￥1.796316

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￥1.481441

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￥1.346494

+100：

￥1.211548

+500：

￥1.121583

库存： 1000 +

国内：1~2 天

类型： -

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

功率(Pd)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

FDS9400A_null
FDS9400A
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
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￥10.227076

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￥8.953996

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￥8.253802

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￥7.596044

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￥7.171684

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.5 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 205 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营 国内现货
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FDS9400A_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS9400A
ON(安森美)
授权代理品牌
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.5 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 205 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.5 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 205 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDS9400A_晶体管-FET，MOSFET-单个
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货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SOIC

FDS9400A_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDS9400A
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库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SOIC

FDS9400A_未分类
FDS9400A
ON Semiconductor
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC

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未分类
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￥7.4172

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货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 130mOhm @ 1A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SOIC

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±25V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.5 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 205 pF @ 15 V

Mouser
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FDS9400A
ON(安森美)
授权代理品牌
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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.5 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 205 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDS9400A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 130 毫欧 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.5 nC 5 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 205 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C # 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度: -55°C # 175°C（TJ）