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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.114272 +10：￥2.535127 +30：￥2.294727 +100：￥1.977836 +500：￥1.846709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2525 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.873068 +5000：￥1.774496 +12500：￥1.643087 +25000：￥1.626764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2525 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.582021 +5000：￥4.340885 +12500：￥4.019425 +25000：￥3.979495	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2525 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.072204 +10：￥10.447099 +100：￥7.235584 +500：￥6.045079 +1000：￥5.144771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
FDS8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.072204 +10：￥10.447099 +100：￥7.235584 +500：￥6.045079 +1000：￥5.144771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥13.465356 +10：￥11.804045 +100：￥8.166651 +500：￥6.820117 +1000：￥5.805842	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8896 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥3.468898	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8896 APTINA IMAGING 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥2.71968	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8896 onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+10：￥6.409744 +25：￥6.346253 +100：￥4.516711 +250：￥4.33991 +500：￥3.784113	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8896 onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N CH, 30V, 15A, SOIC-8 下载数据手册未分类	+5：￥7.938399 +10：￥6.960209 +100：￥4.815713 +500：￥4.025633	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDS8896参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	67 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2525 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）