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自营现货库存

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD5670 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 60V 50A 下载数据手册未分类	+1：￥4.917272 +10：￥4.119581 +30：￥3.715272 +100：￥3.32189 +500：￥3.08149	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD5670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.414307 +200：￥2.491418 +500：￥2.403999 +1000：￥2.36029	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2739 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD5670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.80738 +200：￥3.409308 +500：￥3.289108 +1000：￥3.234472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2739 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD5670 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDD5670 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.479275 +150：￥1.453558 +500：￥1.414877 +11500：￥1.389158 +16400：￥1.299148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD5670 授权代理品牌	FDD5670 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.008668 +20：￥2.93018 +50：￥2.851694 +100：￥2.799369	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD5670 授权代理品牌	FDD5670 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.47998 +20：￥2.331572 +100：￥2.310389 +2500：￥2.268019	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD5670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2739 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD5670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2739 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD5670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
FDD5670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252

FDD5670参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	52A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	73 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2739 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），83W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD5670 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 60V 50A 下载数据手册未分类	+1：￥4.917272 +10：￥4.119581 +30：￥3.715272 +100：￥3.32189 +500：￥3.08149	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD5670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.414307 +200：￥2.491418 +500：￥2.403999 +1000：￥2.36029	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2739 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD5670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.80738 +200：￥3.409308 +500：￥3.289108 +1000：￥3.234472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2739 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）