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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF2N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.386525 +200：￥3.638781 +500：￥3.507654 +1000：￥3.44209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF2N90 授权代理品牌	FQPF2N90 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥4.500846 +1000：￥4.225794 +1500：￥3.959078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FQPF2N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF2N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+19：￥4.184055 +50：￥3.626168 +100：￥3.347258 +1000：￥3.068348	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF2N90 Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+19：￥10.235308 +50：￥8.870567 +100：￥8.188278 +1000：￥7.505991	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2Ohm 700mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	FQPF2N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3：￥17.12473 +20：￥16.466054 +50：￥15.807544 +100：￥15.148704 +300：￥14.490193	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	FQPF2N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

FQPF2N90参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.2 欧姆 700mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	35W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）