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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCMT250N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	SUPERFET3 650V PQFN88 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1010 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 90W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power88 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCMT250N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A POWER88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥11.691025	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1010 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 90W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power88 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCMT250N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	SUPERFET3 650V PQFN88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥28.599346	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1010 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 90W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power88 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCMT250N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	SUPERFET3 650V PQFN88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥56.97978 +10：￥51.175793 +100：￥41.931818 +500：￥35.695581 +1000：￥30.104672	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® III 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： Power88
FCMT250N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	SUPERFET3 650V PQFN88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥56.97978 +10：￥51.175793 +100：￥41.931818 +500：￥35.695581 +1000：￥30.104672	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® III 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： Power88

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCMT250N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	SUPERFET3 650V PQFN88 下载数据手册未分类	+1：￥58.739611 +10：￥52.729046 +100：￥43.166784 +500：￥36.746408 +1000：￥31.009051	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

FCMT250N65S3参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® III
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1010 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	90W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Power88
封装/外壳:	4-PowerTSFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）