FDMS86520L厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86520L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥23.659614 +200：￥17.694919 +800：￥13.718617 +3000：￥9.940997 +15000：￥8.946861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4615 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），69W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86520L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.009888 +10：￥4.169655 +30：￥3.749539 +100：￥3.329422 +500：￥3.087856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4615 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），69W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMS86520L 授权代理品牌	FDMS86520L VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥5.305164 +5：￥5.172501 +10：￥5.039952 +30：￥4.907288 +50：￥4.818846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	FDMS86520L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4615 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），69W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86520L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.259867 +6000：￥5.062106 +9000：￥4.894526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4615 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），69W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86520L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥12.867029 +6000：￥12.383251 +9000：￥11.973306	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4615 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），69W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS86520L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.507871 +10：￥23.704297 +100：￥18.865085 +500：￥15.962698 +1000：￥13.544233	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS86520L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.507871 +10：￥23.704297 +100：￥18.865085 +500：￥15.962698 +1000：￥13.544233	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86520L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥32.425694 +10：￥27.048567 +100：￥21.5085 +250：￥19.879068 +500：￥17.923749	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86520L 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥10.937691	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS86520L参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13.5A（Ta），22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.2 毫欧 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	63 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4615 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），69W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）