FDMS8670S厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FDMS8670S 共 14 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8670S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥4.16329 +10：￥3.44209 +30：￥3.08149 +100：￥2.731818 +500：￥2.513272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMS8670S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.567289 +200：￥2.546054 +500：￥2.458636 +1000：￥2.414927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS8670S VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMS8670S VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.287631 +5000：￥4.037521 +15000：￥3.930329 +20000：￥3.751677	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS8670S VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMS8670S VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.180441 +200：￥4.10898 +300：￥4.037521 +890：￥3.930329 +2950：￥3.823138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS8670S JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDMS8670S JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+5000：￥2.465388 +10000：￥2.401095 +20000：￥2.336801 +25000：￥2.251008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS8670S 授权代理品牌	FDMS8670S VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.184395 +100：￥3.050458 +500：￥2.918026 +1000：￥2.785593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS8670S JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDMS8670S JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥4.582458 +5000：￥4.229962 +15000：￥4.053772 +25000：￥3.983272 +30000：￥3.806966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8670S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8670S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMS8670S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench®, SyncFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

FDMS8670S参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®, SyncFET™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Ta），42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.5 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	73 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4000 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），78W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）