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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP3P50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.980049 +10：￥19.996904 +50：￥18.226686 +100：￥16.445541 +500：￥15.615069	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 欧姆 1.35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FQP3P50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.0876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 欧姆 1.35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP3P50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥19.649431 +10：￥18.339426 +30：￥16.181804 +100：￥14.47845 +500：￥13.75457	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 欧姆 1.35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FQP3P50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥83.349 +1100：￥81.95985 +2100：￥80.5707 +3100：￥79.18155	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 欧姆 1.35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP3P50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥4.450164	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 欧姆 1.35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP3P50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥10.88628	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 欧姆 1.35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FQP3P50 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.9Ohm @ 1.35A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 660 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP3P50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥25.266726 +10：￥21.191448 +100：￥13.073494	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 1000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP3P50 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥10.673485 +2000：￥10.566666 +5000：￥10.108875	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQP3P50参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.9 欧姆 1.35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	660 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	85W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）