FDBL0200N100厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FDBL0200N100 共 13 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL0200N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF 下载数据手册未分类	+1：￥69.650419 +10：￥65.006329 +30：￥62.176166 +100：￥59.804949	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 133 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9760 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL0200N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF 下载数据手册未分类	+1000：￥107.136267	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 133 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9760 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDBL0200N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥58.06647 +100：￥52.590904 +300：￥51.253847 +500：￥50.362476	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 133 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9760 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL0200N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥23.749091	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 133 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9760 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDBL0200N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥58.096568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 133 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9760 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 429W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDBL0200N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥129.120483 +10：￥88.181334 +100：￥64.977895 +500：￥58.096568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： 8-HPSOF
FDBL0200N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥129.120483 +10：￥88.181334 +100：￥64.977895 +500：￥58.096568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： 8-HPSOF

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL0200N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF 下载数据手册未分类	+1：￥125.366673 +10：￥95.683294 +25：￥94.854149 +100：￥70.477296 +500：￥63.014994	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： TO-LL8-8 系列： FDBL0200N100 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 100 V Id-连续漏极电流： 300 A Rds On-漏源导通电阻： 2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V Qg-栅极电荷： 133 nC Pd-功率耗散： 429 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 高度： 2.4 mm 长度： 10.48 mm 产品类型： MOSFET 宽度： 9.9 mm 单位重量： 850 mg 温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL0200N100 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R 下载数据手册未分类	+1：￥110.851618 +10：￥88.625575 +25：￥87.2171 +100：￥65.594688 +250：￥64.929144	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL0200N100 onsemi(安森美) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R 下载数据手册未分类	+2：￥64.551287 +10：￥54.975881 +25：￥54.171225 +100：￥45.060731 +250：￥44.18455	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDBL0200N100参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	133 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9760 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	429W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HPSOF
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）