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FDC637AN_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDC637AN
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¥5.32763

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¥3.98453

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¥2.2385

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¥2.126575

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 6.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1125 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SuperSOT™-6

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDC637AN_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥3.002494

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 6.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1125 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SuperSOT™-6

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDC637AN_未分类
FDC637AN
授权代理品牌

FDC637AN VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

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¥0.848077

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¥0.826197

+250:

¥0.805359

+500:

¥0.790774

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¥0.769937

库存: 1000 +

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FDC637AN
授权代理品牌

FDC637AN VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

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¥0.805359

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库存: 1000 +

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FDC637AN
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FDC637AN UDU SEMICONDUTOR

未分类

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¥0.513986

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¥0.487592

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¥0.461893

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDC637AN_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDC637AN
授权代理品牌
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¥1.883687

+6000:

¥1.836572

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¥1.789457

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 6.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1125 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SuperSOT™-6

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDC637AN
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库存: 1000 +

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品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 6.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1125 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SuperSOT™-6

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDC637AN
授权代理品牌

FDC637AN TECH PUBLIC/台湾台舟电子

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¥0.546399

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDC637AN_未分类
FDC637AN
授权代理品牌

FDC637AN VBSEMI/微碧半导体

未分类

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¥0.941844

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¥0.871229

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¥0.847614

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自营 国内现货
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¥1.768067

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¥1.550925

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¥1.535606

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 6.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1125 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SuperSOT™-6

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDC637AN参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 6.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1125 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SuperSOT™-6
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
温度: -55°C # 150°C(TJ)