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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB070N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.557412 +10：￥25.059943 +30：￥22.980367 +100：￥20.879785 +500：￥19.903014	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3090 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB070N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.101385	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3090 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB070N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥19.806023	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3090 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCB070N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥48.450779	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3090 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCB070N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥111.833024 +10：￥75.78944 +100：￥55.399419	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® III 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
FCB070N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥111.833024 +10：￥75.78944 +100：￥55.399419	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® III 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB070N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥101.118343 +10：￥91.338044 +100：￥75.590106 +500：￥65.809808 +800：￥65.809808	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 800

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB070N65S3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥49.351526	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCB070N65S3参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® III
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 4.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	78 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3090 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	312W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）