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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC007N08LCDC_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDMC007N08LCDC
授权代理品牌
+1:

¥34.67134

+10:

¥23.114267

+30:

¥19.261869

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.8 毫欧 22A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 130µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3070 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 57W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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FDMC007N08LCDC_未分类
FDMC007N08LCDC
授权代理品牌

FET 80V 7.0 MOHM PQFN33

未分类

+1:

¥39.928245

+10:

¥35.710318

+30:

¥31.82021

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.8 毫欧 22A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 130µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3070 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 57W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC007N08LCDC_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥22.014736

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.8 毫欧 22A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 130µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3070 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 57W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMC007N08LCDC_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥43.295137

+10:

¥32.142432

+100:

¥26.371788

+500:

¥23.646183

+1000:

¥22.014736

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-PQFN (3.3x3.3)

FDMC007N08LCDC_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥43.295137

+10:

¥32.142432

+100:

¥26.371788

+500:

¥23.646183

+1000:

¥22.014736

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-PQFN (3.3x3.3)

Mouser
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FDMC007N08LCDC_未分类
FDMC007N08LCDC
授权代理品牌

FET 80V 7.0 MOHM PQFN33

未分类

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¥39.852178

+10:

¥34.95232

+25:

¥34.462334

+100:

¥29.889134

+250:

¥29.235819

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC007N08LCDC_未分类
FDMC007N08LCDC
授权代理品牌

FDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com

未分类

+1:

¥29.653494

+10:

¥27.547644

+25:

¥26.892492

+100:

¥24.989426

+250:

¥24.755443

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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FDMC007N08LCDC_未分类
FDMC007N08LCDC
授权代理品牌

FDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com

未分类

+4:

¥18.805997

+10:

¥17.473986

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¥17.029984

+100:

¥15.826243

+250:

¥15.26384

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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FDMC007N08LCDC_未分类
FDMC007N08LCDC
授权代理品牌
+1:

¥19.504296

+10:

¥17.15033

+25:

¥16.593064

+100:

¥15.536182

+250:

¥14.75793

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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FDMC007N08LCDC_未分类
FDMC007N08LCDC
授权代理品牌

MOSFET, N CH, 80V, 64A, QFN-8

未分类

+1:

¥24.751307

+10:

¥20.978752

+100:

¥17.593135

+500:

¥15.307837

+3000:

¥15.090191

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMC007N08LCDC参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.8 毫欧 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3070 pF 40 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 57W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(3.3x3.3)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)