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搜索 FDME910PZT7 条相关记录
自营 现货库存
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FDME910PZT_未分类
FDME910PZT
授权代理品牌

MOSFET P CH 20V 8A MICROFET

未分类

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¥4.996838

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¥1.941447

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¥1.867184

+1000:

¥1.835357

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 8A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2110 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: MicroFet 1.6x1.6 薄型

封装/外壳: 6-PowerUFDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FDME910PZT_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 8A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2110 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: MicroFet 1.6x1.6 薄型

封装/外壳: 6-PowerUFDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDME910PZT_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 8A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2110 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: MicroFet 1.6x1.6 薄型

封装/外壳: 6-PowerUFDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDME910PZT_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-PowerUFDFN

供应商器件封装: MicroFet 1.6x1.6 Thin

FDME910PZT_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-PowerUFDFN

供应商器件封装: MicroFet 1.6x1.6 Thin

FDME910PZT_未分类
FDME910PZT
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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 6-PowerUFDFN

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V

Vgs (Max): ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 10 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDME910PZT_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDME910PZT
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 8A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2110 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: MicroFet 1.6x1.6 薄型

封装/外壳: 6-PowerUFDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDME910PZT参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2110 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.1W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: MicroFet 1.6x1.6 薄型
封装/外壳: 6-PowerUFDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)