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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB110N65F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥45.577643 +10：￥44.637898 +30：￥44.004116 +100：￥43.370335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 3.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4895 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB110N65F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥19.670768	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 3.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4895 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCB110N65F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥48.119912	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 3.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4895 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCB110N65F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥111.985752 +10：￥75.911654 +100：￥55.439067	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： FRFET®, SuperFET® II 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK
FCB110N65F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥111.985752 +10：￥75.911654 +100：￥55.439067	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： FRFET®, SuperFET® II 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB110N65F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥109.779123 +10：￥82.417258 +25：￥79.929816 +100：￥60.196107 +800：￥52.070461	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 800

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB110N65F onsemi(安森美) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+2：￥51.478518 +10：￥45.21081 +25：￥32.723832	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB110N65F onsemi(安森美) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 35A, 150度 C, 357W 下载数据手册未分类	+1：￥58.277544 +10：￥46.038061 +100：￥40.958275 +500：￥37.42509 +800：￥33.025275	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB110N65F onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥43.141848 +10：￥39.397818 +25：￥34.114368	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB110N65F onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 650V, 35A, 150DEG C, 357W 下载数据手册未分类	+1：￥60.988031 +10：￥48.188978 +100：￥42.846873 +500：￥39.1673 +800：￥33.067273	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCB110N65F参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	FRFET®, SuperFET® II
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	110 毫欧 17.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 3.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	145 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4895 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	357W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）