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FDD86381-F085_未分类
FDD86381-F085
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MOSFET N-CH 80V 25A DPAK

未分类

+307:

¥5.604065

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 866 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48.4W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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FDD86381-F085_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥2.822633

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 866 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48.4W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDD86381-F085_晶体管-FET,MOSFET-单个
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+2500:

¥6.904909

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 866 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48.4W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDD86381-F085_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥16.287722

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¥14.550365

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¥11.343041

+500:

¥9.370869

+1000:

¥7.398019

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-PAK (TO-252AA)

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-PAK (TO-252AA)

Mouser
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FDD86381-F085
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 25A DPAK

未分类

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¥17.392584

+10:

¥15.709431

+100:

¥12.174809

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¥10.056841

+1000:

¥8.037058

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: DPAK-3

系列: FDD86381_F085

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 25 A

Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 14 nC

Pd-功率耗散: 48.4 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 5 ns

高度: 4.83 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 14 ns

典型接通延迟时间: 8 ns

宽度: 9.65 mm

零件号别名: FDD86381_F085

单位重量: 330 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

FDD86381-F085参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21 毫欧 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 866 pF 40 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 48.4W(Tj)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)