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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA36P15 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN 下载数据手册未分类	+1：￥58.116101 +10：￥51.846183 +30：￥48.026943 +100：￥45.013987	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3320 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA36P15 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.605054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3320 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA36P15 ISC(无锡固电) 授权代理品牌	FQA36P15 ISC/无锡固电半导体下载数据手册未分类	+1：￥54.795022 +500：￥36.530015 +1500：￥35.89471 +2500：￥34.941753 +5000：￥33.988796	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA36P15 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥13.986929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3320 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA36P15 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥34.215736	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3320 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA36P15 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN 下载数据手册未分类	+1：￥64.709381 +10：￥54.251299 +30：￥51.309964 +120：￥43.956626 +270：￥41.505514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 30

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA36P15 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+450：￥22.326079	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQA36P15参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	90 毫欧 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	105 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3320 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	294W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3PN
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）